02-09
近年來，基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料（即半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)材料）的量子力學(xué)效應(yīng)（如量子尺寸效應(yīng)，量子隧穿，量子干涉，庫(kù)倫阻塞和非線性光學(xué)效應(yīng)等）的納米電子學(xué)，光電子學(xué)，量子計(jì)算和量子通信以及光計(jì)算，生物計(jì)算等。低維半導(dǎo)體包括二維晶格，量子阱材料，一維量子線和零維量子點(diǎn)材料。
01-19
數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中最快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上最主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)最大的好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（lo...
在這片文章里，我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET，對(duì)其進(jìn)行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)。對(duì)于諸如“流控制”或可編程...
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數(shù)器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件，因而是高頻應(yīng)用的理想選擇。將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的逆變...
開關(guān)電源的特征就是產(chǎn)生強(qiáng)電磁噪聲，若不加嚴(yán)格控制，將產(chǎn)生極大的干擾。下面介紹的技術(shù)有助于降低開關(guān)電源噪聲，能用于高靈敏度的模擬電路。
LED器件對(duì)LED驅(qū)動(dòng)芯片的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白熾燈泡，可以直接連接220V的交流市電。LED是低電壓驅(qū)動(dòng)，必須要設(shè)計(jì)復(fù)雜的變換電路，不同用途的LED燈，要配備不同的電源適配器。
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